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高分子质料断口剖析是高分子质料失效剖析的主要方法之一，，断裂剖析对证料的研发设计有主要意义，，通过对其剖析查找原理，，相识机理来提高产品质量，，刷新工艺或者起到判断责任等作用。。。。。断裂是指质料收到外力爆发随机性的破碎，，疏散成两个或者多个部分的征象。。。。。断裂后的外貌或者横截面称为断口，，通过对断口的形貌特征剖析，，来研究高分子质料失效的性子和缘故原由。。。。。断口形貌特征剖析是高分子质料研究的主要要领之一。。。。。高分子质料在外加载荷作用下渐裂司理了裂纹萌生、稳固扩展和快速扩展至三个阶段。。。。。
1、宏观视察
用肉眼或放大镜低倍视察，，一样平常只能视察，，不可照相，，视察到的信息通常接纳语言举行形貌。。。。。其放大倍率低于50倍，，一样平常10倍左右，，可以用来视察断口外貌的粗糙度，，裂纹起始、扩展及最终断裂区的特征，，判断裂纹走向、起裂源位置、载荷类型及水一律。。。。。通常情形下此法是为进一步的光学显微镜视察网络信息的。。。。。低倍视察仅要求断口外貌清洁，，无污染即可。。。。。
2、光学显微镜视察
光学显微镜较常用的是体视显微镜，，当对宏观断口上的一些特征细节有须要做进一步放大视察时，，可以选用光学显微镜直接放大视察。。。。。另外通常剖析职员也接纳低倍的光学显微镜做全断口的照相纪录，，以获取更周全更细节的断口信息，，也为下一步微观视察提供基础信息。。。。。
3、扫描电镜视察
扫描电镜是一种微观视察的要领，，放大倍数可以到上千倍，，甚至上万倍，，通常与能谱仪(EDS)连用，，在断口剖析里主要有形貌视察和微区因素剖析两个用途。。。。。由于高分子质料导电性较差，，在扫描视察前需在断口上喷涂一定厚度的导电质料，，如金、铂等。。。。。另外，，为了避免断口外貌烧伤，，需要控制好视察电压，，一样平常5-15Kv为宜。。。。。能谱仪举行因素剖析时，，可以接纳点扫描、线扫描及面扫描三种形式，，详细可凭证现实需要举行选择。。。。。
（扫描电镜/SEM）
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