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开关电源电磁滋扰的爆发气理及其撒播途径
功率开关器件的高额开关行动是导致开关电源爆发电磁滋扰(EMI)的主要缘故原由。。。。�？？？？仄德实奶岣咭环矫婕跣×说缭吹奶寤椭亓浚�，，，另一方面也导致了更为严重的EMI问题。。。。�？？？？氐缭词虑槭保�，，，其内部的电压和电流波形都是在很是短的时间内上升和下降的，，，，因此，，，，开关电源自己是一个噪声爆发源。。。。�？？？？氐缭幢⒌淖倘牛�，，，按噪声滋扰源种类来分，，，，可分为尖峰滋扰协调波滋扰两种；；若按耦合通路来分，，，，可分为传导滋扰和辐射滋扰两种。。。。。使电源爆发的滋扰不至于对电子系统和电网造成危害的基础步伐是削弱噪声爆发源，，，，或者切断电源噪声和电子系统、电网之间的耦合途径。。。。。现在按噪声滋扰源来划辩白明：
1、二极管的反向恢复时间引起的滋扰
交流输入电压经功率二极管整流桥变为正弦脉动电压，，，，经电容平滑后变为直流，，，，但电容电流的波形不是正弦波而是脉冲波。。。。。由电流波形可知，，，，电流中含有高次谐波。。。。。大宗电流谐波分量流入电网，，，，造成对电网的谐波污染。。。。。另外，，，，由于电流是脉冲波，，，，使电源输入功率因数降低。。。。。
高频整流回路中的整流二极管正向导通时有较大的正向电流流过，，，，在其受反偏电压而转向阻止时，，，，由于PN结中有较多的载流子积累，，，，因而在载流子消逝之前的一段时间里，，，，电流会反向流动，，，，致使载流子消逝的反向恢复电流急剧镌汰而爆发很大的电流转变(di/dt)。。。。。
2、开关管事情时爆发的谐波滋扰
功率开关管在导通时流过较大的脉冲电流。。。。。例如正激型、推挽型和桥式变换器的输入电流波形在阻性负载时近似为矩形波，，，，其中含有富厚的高次谐波分量。。。。。当接纳零电流、零电压开关时，，，，这种谐波滋扰将会很小。。。。。另外，，，，功率开关管在阻止时代，，，，高频变压器绕组漏感引起的电流突变，，，，也会爆发尖峰滋扰。。。。。
3、交流输入回路爆发的滋扰
无工频变压器的开关电源输入端整流管在反向恢复时代会引起高频衰减振荡爆发滋扰。。。。�？？？？氐缭幢⒌募夥遄倘判鞑ㄗ倘拍芰浚�，，，通过开关电源的输入输出线撒播出去而形成的滋扰称之为传导滋扰；；而谐波和寄生振荡的能量，，，，通过输入输出线撒播时，，，，都会在空间爆发电场和磁场。。。。。这种通过电磁辐射爆发的滋扰称为辐射滋扰。。。。。
4、其他缘故原由
元器件的寄生参数，，，，开关电源的原理图设计不敷完善，，，，印刷线路板(PCB)走线通常接纳手工安排，，，，具有很大的随意性，，，，PCB的近场滋扰大，，，，并且印刷板上器件的装置、安排，，，，以及方位的不对理都会造成EMI滋扰。。。。。这增添了PCB漫衍参数的提取和近场滋扰预计的难度。。。。。
Flyback架构noise在频谱上的反应
0.15MHz处爆发的振荡是开关频率的3次谐波引起的滋扰。。。。。
0.2MHz处爆发的振荡是开关频率的4次谐波和Mosfet振荡2(190.5KHz)基波的迭加，，，，引起的滋扰；；以是这部分较强。。。。。
0.25MHz处爆发的振荡是开关频率的5次谐波引起的滋扰；；
0.35MHz处爆发的振荡是开关频率的7次谐波引起的滋扰；；
NG-BOTTOM：0px；；WIDOWS：2；；TEXT-TRANSFORM：none；；TEXT-INDENT：2em；；MARGIN：10px25px0px；；PADDING-LEFT：0px；；PADDING-RIGHT：0px；；FONT：14px/22px宋体，，，，Georgia，，，，verdana，，，，serif；；WHITE-SPACE：normal；；ORPHANS：2；；LETTER-SPACING：normal；；COLOR：rgb(68，，，，68，，，，68)；；WORD-SPACING：0px；；PADDING-TOP：0px；；-webkit-text-size-adjust：auto；；-webkit-text-stroke-width：0px">0.39MHz处爆发的振荡是开关频率的8次谐波和Mosfet振荡2(190.5KHz)基波的迭加引起的滋扰；；
1.31MHz处爆发的振荡是Diode振荡1(1.31MHz)的基波引起的滋扰；；
3.3MHz处爆发的振荡是Mosfet振荡1(3.3MHz)的基波引起的滋扰；；
开关管、整流二极管的振荡会爆发较强的滋扰。。。。。
设计开关电源时避免EMI的步伐：
1.把噪音电路节点的PCB铜箔面积最大限度地减�。。。。�；；如开关管的漏极、集电极，，，，首次级绕组的节点，，，，等。。。。。
2.使输入和输出端远离噪音元件，，，，如变压器线包，，，，变压器磁芯，，，，开关管的散热片，，，，等等。。。。。
3.使噪音元件(如未遮蔽的变压器线包，，，，未遮蔽的变压器磁芯，，，，和开关管，，，，等等)远离外壳边沿，，，，由于在正常操作下外壳边沿很可能靠近外面的接地线。。。。。
4.若是变压器没有使用电场屏障，，，，要坚持屏障体和散热片远离变压器。。。。。
5.只管减小以下电流环的面积：次级(输出)整流器，，，，初级开关功率器件，，，，栅极(基极)驱动线路，，，，辅助整流器。。。。。
6.不要将门极(基极)的驱动返馈环路和初级开关电路或辅助整流电路混在一起。。。。。
7.调解优化阻尼电阻值，，，，使它在开关的死区时间里不爆发振铃响声。。。。。
8.避免EMI滤波电感饱和。。。。。
9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏障体或者开关管的散热片。。。。。
10.坚持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏障或者散热片。。。。。
11.使高频输入的EMI滤波器靠近输入电缆或者毗连器端。。。。。
12.坚持高频输出的EMI滤波器靠近输出电线端子。。。。。
13.使EMI滤波器扑面的PCB板的铜箔和元件本体之间坚持一定距离。。。。。
14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些电阻。。。。。
15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。。。。。
16.在输出RF滤波器两头并联阻尼电阻。。。。。
17.在PCB设计时允许放1nF/500V陶瓷电容器或者还可以是一串电阻，，，，跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之间。。。。。
18.坚持EMI滤波器远离功率变压器；；尤其是阻止定位在绕包的端部。。。。。
19.在PCB面积足够的情形下，，，，可在PCB上留下放屏障绕组用的脚位和放RC阻尼器的位置，，，，RC阻尼器可跨接在屏障绕组两头。。。。。
20.空间允许的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器(米勒电容，，，，10皮法/1千伏电容)。。。。。
21.空间允许的话放一个小的RC阻尼器在直流输出端。。。。。
22.不要把AC插座与初级开关管的散热片靠在一起。。。。。
开关电源EMI的特点
作为事情于开关状态的能量转换装置，，，，开关电源的电压、电流转变率很高，，，，爆发的滋扰强度较大；；滋扰源主要集中在功率开关时代以及与之相连的散热器和高平变压器，，，，相关于数字电路滋扰源的位置较为清晰；；开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹)，，，，主要的滋扰形式是传导滋扰和近场滋扰；；而印刷线路板(PCB)走线通常接纳手工布线，，，，具有更大的随意性，，，，这增添了PCB漫衍参数的提取和近场滋扰预计的难度。。。。。
1MHZ以内----以差模滋扰为主，，，，增大X电容就可解决
1MHZ---5MHZ---差模共�；；煜�，，，接纳输入端并一系列X电容来滤除差摸滋扰并剖析出是哪种滋扰超标并解决；；
5M---以上以共摸滋扰为主，，，，接纳抑制共摸的要领.关于外壳接地的，，，，在地线上用一个磁围绕2圈会对10MHZ以上滋扰有较大的衰减(diudiu2006)；；关于25--30MHZ不过可以接纳加大对地Y电容、在变压器外面包铜皮、改变PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环，，，，最少绕10圈、在输出整流管两头并RC滤波器。。。。。
30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起，，，，可以用增大MOS驱动电阻，，，，RCD缓冲电路接纳1N4007慢管，，，，VCC供电电压用1N4007慢管来解决.
100---200MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起，，，，可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz之间大部分出于PFCMOSFET及PFC二极管，，，，现在MOSFET及PFC二极管串磁珠有用果，，，，水平偏向基本可以解决问题，，，，但笔直偏向就很无奈了。。。。。
开关电源的辐射一样平常只会影响到100M以下的频段.也可以在MOS，，，，二极管上加响应吸收回路，，，，但效率会有所降低。。。。。
1MHZ以内----以差模滋扰为主
1.增大X电容量；；
2.添加差模电感；；
3.小功率电源可接纳PI型滤波器处置惩罚(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。。。。。1MHZ---5MHZ---差模共�；；煜�，，，接纳输入端并联一系列X电容来滤除差摸滋扰并剖析出是哪种滋扰超标并以解决：
1.关于差模滋扰超标可调解X电容量，，，，添加差模电感器，，，，调差模电感量；；
2.关于共模滋扰超标可添加共模电感，，，，选用合理的电感量来抑制；；
3.也可改变整流二极管特征来处置惩罚一对快速二极管如FR107一对通俗整流二极管1N4007。。。。。
5M---以上以共摸滋扰为主，，，，接纳抑制共摸的要领
关于外壳接地的，，，，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上滋扰有较大的衰减作用；；可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，，，，铜箔闭环.处置惩罚后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的巨细。。。。。
关于20--30MHZ，，，，
1.关于一类产品可以接纳调解对地Y2电容量或改变Y2电容位置；；
2.调解一二次侧间的Y1电容位置及参数值；；
3.在变压器外面包铜箔；；变压器最里层加屏障层；；调解变压器的各绕组的排布。。。。。
4.改变PCBLAYOUT；；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；；
6.在输出整流管两头并联RC滤波器且调解合理的参数；；
7.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容。。。。。
9.可以用增大MOS驱动电阻.
30---50MHZ普遍是MOS管高速开通关断引起，，，，
1.可以用增大MOS驱动电阻；；
2.RCD缓冲电路接纳1N4007慢管；；
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；；
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；；
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；；
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，，，，变压器，，，，MOS组成的电路环尽可能的�。。。。�；；
9.变压器，，，，输出二极管，，，，输出平波电解电容组成的电路环尽可能的小。。。。。
50---100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起，，，，
1.可以在整流管上串磁珠；；
2.调解输出整流管的吸收电路参数；；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，，，，如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；；
4.也可改变MOSFET，，，，输出整流二极管的本体向空间的辐射(如铁夹卡MOSFET；；铁夹卡DIODE，，，，改变散热器的接所在)。。。。。
5.增添屏障铜箔抑制向空间辐射.
200MHZ以上开关电源已基本辐射量很�。。。。。�，，，一样平常可过EMI标准。。。。。
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